等離子干法刻蝕技術(shù)是利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的技術(shù)。在典型的干法刻蝕工藝過(guò)程中，一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，干法刻蝕技術(shù)由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域，憑借在等離子體控制、反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、刻蝕工藝技術(shù)、軟件技術(shù)的積累與創(chuàng)新，北方華創(chuàng)微電子在集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域可提供高端裝備及工藝解決方案。形成了對(duì)硅、介質(zhì)、化合物半導(dǎo)體、金屬等多種材料的刻蝕能力，其中應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的硅刻蝕機(jī)已突破14nm技術(shù)，進(jìn)入主流芯片代工廠，其余各類(lèi)產(chǎn)品也憑借其優(yōu)異的工藝性能成為了客戶的。

因此，蝕刻部位的金屬不斷地溶解并在金屬的表面留下當(dāng)量電子，其反應(yīng)式

如下：

式中 M-蝕刻金屬的原子；

ne—溶解金屬留下的當(dāng)量電子數(shù)；

M ne—失去ne個(gè)電子的金屬離子，未水合化；

M ne.xH20—進(jìn)入電解液的金屬水合離子。

陰極上的反應(yīng)是電解溶液中的還原性物質(zhì)如氫離子、氧分子或金屬正離子等在陰極上得到電子，還原成氫氣析出或生成氫氧根負(fù)離子或金屬沉積物附著在陰極上，因此陰極反應(yīng)是各種還原反應(yīng)的結(jié)果。其電極反應(yīng)如下：2H 2e→H2↑2H20 02 4e→40H-M ne ne→M↓

從上可以看到，電解蝕刻主要是利用電流加快蝕刻部位金屬的溶解，而不是化學(xué)蝕刻那樣要加入各種添加劑，特別是催速劑。在某種條件下還可能一面將蝕刻的金屬溶解，另一方面又能將溶解的金屬在陰極上沉積而回收。從示意圖6—7上可以看到電解蝕刻需要有專(zhuān)用的電解設(shè)備、電源系統(tǒng)及配電設(shè)施，在實(shí)際操作時(shí)，還要有掛具和裝卸作業(yè)等。

自動(dòng)型蝕刻機(jī) 產(chǎn)品規(guī)格：自動(dòng)單雙面蝕刻機(jī) 主要參數(shù)表明： 序號(hào)：7198474316 尺寸：2000×1120 ×1000 mm 生產(chǎn)加工版塊：≤寬60b250m(長(zhǎng)短不限) 工作中方式：持續(xù)入料、兩面自噴式 過(guò)濾方式：供液過(guò)濾 開(kāi)料過(guò)濾 加熱系統(tǒng)軟件：鈦金屬防腐蝕加熱 操作溫度：38-五十度（自動(dòng)加熱） 蝕刻速率：無(wú)極變速 功 率：3.5kw/380V 自動(dòng)控制系統(tǒng)：蝕刻電源開(kāi)關(guān)、單雙面蝕刻自動(dòng)開(kāi)關(guān)、自動(dòng)溫度控制、水準(zhǔn)輪片傳輸（無(wú)極變速）