微弧氧化

       微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，原位生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。在微弧氧化過(guò)程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過(guò)程非常復(fù)雜，至今還沒(méi)有一個(gè)合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。電源要設(shè)置恒電壓和恒電流控制裝置，輸出波形視工藝條件可為直流、方波、鋸齒波等波形。

影響微弧氧化的因素

（1）微弧氧化對(duì)鋁材要求不高，不管是含銅或是含硅的難以陽(yáng)極氧化鋁合金，只要閥金屬比例占到40%以上，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜層。

（2）表面狀態(tài)一般不需要經(jīng)過(guò)拋光處理，對(duì)于粗糙的表面，經(jīng)過(guò)微弧氧化，可修復(fù)的平整光滑；對(duì)于粗糙度低（即光滑）的表面，則會(huì)增加粗糙度。

工件材質(zhì)及表面狀態(tài)對(duì)微弧氧化會(huì)有一定的影響，所以一定要引起注意。微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化設(shè)備

      微弧氧化設(shè)備有熱交換和制冷設(shè)備。由于微弧氧化過(guò)程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過(guò)較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，使電解液及時(shí)冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。微弧氧化電解液不含有毒物質(zhì)和zhong金屬元素，電解液抗污染能力強(qiáng)和再生重復(fù)使用率高，因而對(duì)環(huán)境污染小，滿足優(yōu)質(zhì)清潔生產(chǎn)的需要，也符合我國(guó)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要?？蓪㈦娊庖翰捎醚h(huán)對(duì)流冷卻的方式進(jìn)行，既能控制溶液溫度，又達(dá)到了攪拌電解液的目的。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

       鋁合金微弧氧化又稱等離子體微弧氧化，等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。它是在普通陽(yáng)極氧化基礎(chǔ)上通過(guò)提升電壓等措施發(fā)展起來(lái)的，是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。還可采用不同的電解液對(duì)同一工件進(jìn)行多次微弧氧化處理，以獲取具有多層不同性質(zhì)的陶瓷氧化膜層。為此微弧氧化膜的硬度和耐磨性都得到明顯提高，其耐腐蝕性和電絕緣性也隨之有較大的提高。