小型自動(dòng)磁控濺射儀

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)磁控濺射產(chǎn)品供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

1. 濺射室極限真空度：≤6.6×10-6 Pa

2. 系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S

3. 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣：濺射室30分鐘可達(dá)到6.6×10-4 Pa；

4. 系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5Pa

5. 濺射真空室1套，立式上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)，尺寸不小于Ф300mm×300mm，全不銹鋼結(jié)構(gòu)，弧焊接，表面進(jìn)行電化學(xué)拋光，內(nèi)含防污內(nèi)襯，可內(nèi)烘烤到100～150℃，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封，腔體內(nèi)有照明系統(tǒng)

6. 磁控濺射系統(tǒng) 3套， 提供3塊測(cè)試靶材。鍍膜不均勻度≤5%

7. 旋轉(zhuǎn)基片臺(tái) 1套，樣品臺(tái)可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)。基片加熱溫度：室溫—500°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動(dòng)控溫及數(shù)字顯示

8. 觀察窗口及法蘭接口部件 1套

9. 工作氣路1套，包含：100SCCM、20SCCM質(zhì)量流量控制器、CF16截止閥、管路、接頭等共2路； DN16充氣閥、管路、接頭等2路；

10. 抽氣機(jī)組及閥門(mén)、管道 1套，包含1臺(tái)進(jìn)口復(fù)合分子泵及變頻控制電源（680L/s ，德國(guó)普發(fā)Hipace700分子泵）；但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。1臺(tái)機(jī)械泵（4L/S） ，1臺(tái)DN40氣動(dòng)截止閥，機(jī)械泵與真空室之間的旁抽管路1套，CC150氣動(dòng)閘板閥1臺(tái)（用于復(fù)合分子泵與真空室隔離），節(jié)流閥1臺(tái)，DN40旁抽氣閥1臺(tái)，壓差式充氣閥1臺(tái)；管道采用不銹鋼三通及波紋管，

11. 安裝機(jī)臺(tái)架組件 1套，由方鋼型材焊接成，快卸圍板表面噴塑處理，機(jī)臺(tái)表面用不銹鋼蒙皮裝飾，四只腳輪，可固定，可移動(dòng)。

磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。　

技術(shù)指標(biāo)：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時(shí)間暴露　　大氣并充干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V　　

樣品轉(zhuǎn)盤(pán)：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤(pán)由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能：對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時(shí)間的變化做實(shí)時(shí)采集，對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實(shí)現(xiàn)換位鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

磁控濺射系統(tǒng)介紹

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真空泵和測(cè)量裝置：

低真空：干泵和convectron真空規(guī)

高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：

硬件：PLC和計(jì)算機(jī)觸摸屏控制

自動(dòng)和手動(dòng)沉積控制

主要特點(diǎn)：

射頻電源：基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積

溫度控制器：基底加熱

大面積基底傳送裝置

冷卻系統(tǒng)