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肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要多做考慮。

另外，除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

什么是肖特基二極管？有何特點(diǎn)意義？

SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。目前UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開(kāi)關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號(hào)的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號(hào)的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號(hào)中就20100是阿拉伯?dāng)?shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類(lèi)推。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常見(jiàn)的半導(dǎo)體公司對(duì)肖特基產(chǎn)品的型號(hào)命名。各廠家命名有不同。

　　備注：美國(guó)摩托羅拉半導(dǎo)體公司，是世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。早期的半導(dǎo)體元件很多都是以該公司的產(chǎn)品命名而得到全球公認(rèn)、通用。摩托羅拉公司后來(lái)將半導(dǎo)體器件分離出來(lái)，分為：

　　成品電器（比如手機(jī)、通信終端設(shè)備、小家電等）；

　　電子元件部分是今天的ON（安森美半導(dǎo)體），生產(chǎn)功率器件；

　　Freescale（飛思卡爾半導(dǎo)體）生產(chǎn)IC集成電路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常說(shuō)貼片封裝。