光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長(zhǎng)以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。目前，上游電子化學(xué)品（LCD用光刻膠）幾乎全部依賴進(jìn)口，必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，才能支撐我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展及國(guó)際“地位”的確立。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。

光刻膠：用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒介

光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計(jì)好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個(gè)下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。

光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個(gè)大類。其中， PCB光刻膠占全球市場(chǎng)24.5%，半導(dǎo)體IC光刻膠占全球市場(chǎng)24.1%，LCD光刻膠占全球市場(chǎng)26.6%。

NR9-3000PYNR9 3000PY光刻膠公司

光刻膠底膜處理：清洗：清潔干燥，使硅片與光刻膠良好的接觸。烘干：去除襯底表面的水汽，使其徹底干燥，增粘處理(涂底)： 涂上增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物，HMDS，光刻膠疏水，Sio2 空氣中，Si-OH, 表面有，親水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  與 SI –OH結(jié)合形成Si-O-Si(CH2)2，與光刻膠相親。NR9-3000PY負(fù)性光刻膠負(fù)膠NR9-3000PY被設(shè)計(jì)用于i線（365nm）曝光，可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻和接觸式光刻等工具。