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光刻工藝重要性二
光刻膠的曝光波長(zhǎng)由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動(dòng)。隨著曝光波長(zhǎng)的縮短,光刻膠所能達(dá)到的極限分辨率不斷提高,光刻得到的線路圖案精密度更佳,而對(duì)應(yīng)的光刻膠的價(jià)格也更高。
光刻光路的設(shè)計(jì),有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑,隨著技術(shù)的發(fā)展,數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對(duì)光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。
工藝系數(shù)從0.8變到0.4,其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù),現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實(shí)現(xiàn)7nm、5nm制程,傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸,EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出,臺(tái)積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計(jì),不同于上一代的折射,其所需光刻膠主要以無(wú)機(jī)光刻膠為主,如金屬氧化物光刻膠。
NR77-15000P
9,去膠:濕法去膠,用溶劑、用NONG硫酸。據(jù)WitsView數(shù)據(jù),雖然近三年國(guó)際LCD廠商面板出貨量有所下降,但是由于大屏顯示的市場(chǎng)擴(kuò)增,LCD整體出貨面積變大,2016年出貨總面積達(dá)到1。負(fù)膠,98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠:BIN酮,干法去膠(ash)氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場(chǎng)O2---電離O- O , O 活性基與膠反應(yīng)CO2,CO, H2O, 光刻檢驗(yàn)
NR9-1000py
問(wèn)題回饋:
1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex
有幾款膠很,NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設(shè)計(jì)的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。
2.請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?
A 美國(guó)光刻膠,F(xiàn)uturrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。
3.你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品?
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):比較好的解析度,比較好的線寬控制,
反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~
4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?
A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過(guò)HMCTS
silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5.厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上,用哪一種比較理想?
A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。
6.請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?
A 可以考慮使用Futurrex
,正型光阻PR1,負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7.請(qǐng)問(wèn),那位專家知道,RIE
Mask,用什么光阻比較好?
A 正型光阻用PR1系列,負(fù)型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。
8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?
A NR9-8000P有很高的深寬比(超過(guò)4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。
9.在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?
A 建議不使用,因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。
10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?
A 有一種膠很適合,美國(guó)Futurrex
生產(chǎn)的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers