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電子束蒸發(fā)鍍膜
利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā),在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2,可達到3000℃以上,可蒸發(fā)高熔點的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。
電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行),電子束自源發(fā)出,用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn),對膜料進行轟擊和加熱。
離子鍍
在真空條件下,利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離,并在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下,將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應物沉積在基片上的方法??蓪㈦x子發(fā)生源與工作室分離,克服了濺射鍍膜為了持續(xù)放弧而必須保持較高的工作氣壓的缺陷,高能離子對襯底和沉積薄膜表面的轟擊保證了薄膜的附著力和質(zhì)量,是一種結(jié)合了蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜優(yōu)勢的PVD技術(shù)。既然納米噴鍍能在多種材料的表面上實現(xiàn)鍍制,那它的表面性能又如何呢。
根據(jù)離化方式的不同,常用的離子源有考夫曼離子源、射頻離子源、霍爾離子源、冷陰極離子源、電子回旋離子源等。