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進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)推薦 沈陽鵬程真空技術(shù)

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發(fā)布時(shí)間:2021-08-14 19:19  






ICP刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容,沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)化學(xué)氣相沉積,歡迎新老客戶蒞臨。

一.系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片(不超過Φ6)的刻蝕,可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。具體描述如下:

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu),手動(dòng)上開蓋結(jié)構(gòu);

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造,真空尺寸為400mm×400×197mm,

內(nèi)腔尺寸Ф340mm×160mm;

3.極限真空度:≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用FF160/600分子泵抽氣);

系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;

系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,20分鐘可達(dá)到(采用分子泵抽氣);

停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度:≤5 Pa;

4.采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式;

5.樣品水冷:由循環(huán)水冷水機(jī)進(jìn)行控制;

7.ICP頭尺寸:340mm mm,噴淋頭與樣品之間電極間距50mm;

8. 沉積工作真空:1-20Pa;

9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng),真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置;

10. 射頻電源:2臺(tái)頻率 13.56MHz,功率600W,全自動(dòng)匹配;

11. 6路氣體,共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

氣體:氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2:≥0.5μm/min

Si:≥1μm/min

光刻膠:≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性:

優(yōu)于±5%(Φ4英寸范圍內(nèi))

優(yōu)于±6%(Φ6英寸范圍內(nèi))

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,



化學(xué)氣相沉積技術(shù)類型介紹

想了解更多關(guān)于化學(xué)氣相沉積的相關(guān)資訊,請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。

化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別,我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型:

1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊,將反應(yīng)器中抽成真空, 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體,然后再次密封, 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別,它的優(yōu)點(diǎn)是:①能有效夠避免外部污染;②無須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。

2 開管法這種制備方法的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時(shí)補(bǔ)充。廢氣也可以及時(shí)排出反應(yīng)裝置?;瘜W(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起,NASA開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管,并獲得了成功,這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。以加熱方法為區(qū)分,開管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會(huì)讓整個(gè)沉積室壁都會(huì)因此變熱,所以管壁上同樣會(huì)發(fā)生沉積。冷壁式加熱一般會(huì)使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。



化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

生產(chǎn)晶須:

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體,它在符合材料范疇中有著很大的作用,能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及Si3N4等等。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時(shí)使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)?;瘜W(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須,同時(shí)也能生產(chǎn)出化合物晶須,比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)有哪些?

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計(jì)

?  溫度范圍:室溫到1100度

?  多路氣體準(zhǔn)確控制

?  標(biāo)準(zhǔn)氣壓計(jì)

?  易于操作

?  可配機(jī)械泵實(shí)現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗(yàn),專注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn),先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù),建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系,想要更多的了解,歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?!



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