電源模塊發(fā)熱嚴(yán)重的原因

發(fā)熱過大的原因：

（1）使用的是線性電源模塊

（2）負(fù)載過流

（3）負(fù)載太小，如負(fù)載功率小于模塊電源輸出功率的10%，都會有可能會導(dǎo)致模塊發(fā)熱、效率低

（4）環(huán)境溫度過高或散熱不良

解決方法：可以通過外在環(huán)境的優(yōu)化或通過調(diào)整負(fù)載來改善。如：使用線性電源時(shí)要加散熱片，提高電源模塊的負(fù)載，確保不小于10%的額定負(fù)載，降低環(huán)境溫度，保持散熱良好。

期望大家在選購電源模塊時(shí)多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯(cuò)過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多電源模塊的資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

電源模塊通電后快速燒毀的原因

通電后快速燒毀的原因：

（1）輸入電壓極性接反了

（2）輸入電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)稱電壓

（3）輸出端極性電容接反了

（4）輸出電路易引起短路或者外接負(fù)載在上電瞬間存在大電流

解決方法：需要重新檢查一遍電路進(jìn)行相應(yīng)優(yōu)化或者調(diào)整電壓。如：接線前注意檢查或加防反接保護(hù)電路，選擇合適的輸入電壓，上電前檢查電容極性，確保正確，在電源模塊輸出端加短路保護(hù)。

諧波系列的電磁干擾幅度受Q1和Q2的通斷影響。在測量漏源電壓VDS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf，或流經(jīng)Q1和Q2的電流上升率di/dt 時(shí)，可以很明顯看到這一點(diǎn)。這也表示，我們可以很簡單地通過減緩Q1或Q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。借助轉(zhuǎn)換器本身的正反饋信號實(shí)現(xiàn)開關(guān)管自持周期性開關(guān)的轉(zhuǎn)換器，叫做自激式轉(zhuǎn)換器，如洛耶爾（Royer）轉(zhuǎn)換器就是一種典型的推挽自激式轉(zhuǎn)換器。事實(shí)正是如此，延長開關(guān)時(shí)間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過，此時(shí)必須在增加散熱和降低損耗間進(jìn)行折中。盡管如此，對這些參數(shù)加以控制仍是一個(gè)好方法，它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個(gè)小阻值電阻(通常小于5Ω)實(shí)現(xiàn)，該電阻與Q1和Q2的柵極串聯(lián)即可控制tr和tf，你也可以給柵極電阻串聯(lián)一個(gè) “關(guān)斷二極管”來獨(dú)立控制過渡時(shí)間tr或tf(見圖3)。這其實(shí)是一個(gè)迭代過程，甚至連經(jīng)驗(yàn)豐富的電源設(shè)計(jì)人員都使用這種方法。我們的終目標(biāo)是通過放慢晶體管的通斷速度，使電磁干擾降低至可接受的水平，同時(shí)保證其溫度足夠低以確保穩(wěn)定性。

Ott關(guān)于不同模式電磁干擾水平的公式(2)示意了回路面積對電路電磁干擾水平產(chǎn)生的直接線性影響。E=263×10-16(f2AI)(1/r) (2)輻射場正比于下列參數(shù)：涉及的諧波頻率(f，單位Hz)、回路面積(A，單位m2)、電流(I)和測量距離(r，單位m)。此概念可以推廣到所有利用梯形波形進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的場合，不過本文僅討論電源設(shè)計(jì)。參考圖4中的交流模型，研究其回路電流流動情況：起點(diǎn)為輸入電容器，然后在Q1導(dǎo)通期間流向Q1，再通過L1進(jìn)入輸出電容器，后返回輸入電容器中。當(dāng)Q1關(guān)斷、Q2導(dǎo)通時(shí)，就形成了第二個(gè)回路。有一種控制電磁干擾的方法是用全集成電源模塊代替?zhèn)鹘y(tǒng)的直流到直流轉(zhuǎn)換器。之后存儲在L1內(nèi)的能量流經(jīng)輸出電容器和Q2，如圖5所示。這些回路面積控制對于降低電磁干擾是很重要的，在PCB走線布線時(shí)就要預(yù)先考慮清器件的布局問題。當(dāng)然，回路面積能做到多小也是有實(shí)際限制的。