電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。

6、加工工藝小圓圈該怎樣判？ 

人們檢測(cè)處未作退級(jí)解決，假如發(fā)覺小圓圈的半經(jīng)超出1.6mm立即向主管意見反饋或告之品管部，PECVD處會(huì)立即將高純石墨舟換下來 

7、隱裂片怎樣造成？怎樣判？ 

大部分是原料的難題，另一個(gè)是影片在外擴(kuò)散高溫反映后內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生撞擊。在多芯片里，一些隱裂片裂縫并不是很長(zhǎng)，能夠按文檔規(guī)定作需切角。 

8、空氣氧化的電池片怎樣判？ 

如果不是將其風(fēng)干，依據(jù)空氣氧化后得色調(diào)判。（淡黃色） 

9、怎樣了解跑模產(chǎn)生在哪兒一條？ 

以料漿的色調(diào)來判，第二條豫第三道的料漿是不會(huì)改變的，各自是鋁漿和銀漿，色調(diào)各自為深灰色和乳白色。一層有將會(huì)是銀漿或銀鋁漿，銀鋁漿是灰白，另一個(gè)，要看漏漿的部位。

10、對(duì)斷開未超出2mm的電池片，判斷不相同？ 先依照文檔判斷是不是超出規(guī)定的總數(shù)，如果不是，按斷開的顯著水平及部位。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

電池片流程

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電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。