政策扶持

為促進我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家02重大專項給予了大力支持。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務(wù)驗收組、財務(wù)驗收組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術(shù)研究”項目的任務(wù)驗收和財務(wù)驗收。

據(jù)悉，經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務(wù)書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。項目共申請發(fā)明15項（包括國際5項），截止到目前，共獲得授權(quán)10項（包括國際授權(quán)3項）。彩色薄膜少了光刻膠，產(chǎn)生不了絢麗的畫面顯示器是人與機器溝通的重要界面。

NR9-3000PYRD6光刻膠公司

二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

PR1-1500A1RD6光刻膠公司

正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對比分析。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關(guān)鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠最外面形成一層堅硬的外殼。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。