北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì)： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時(shí)間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達(dá)到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。一般情況下，一個(gè)芯片在制造過程中需要進(jìn)行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。

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正負(fù)光刻膠

正負(fù)光刻膠

光刻膠分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠! 正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無這方面的影響。五、曝光在這一步中，將使用特定波長的光對(duì)覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。同種厚度的正負(fù)膠，在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。

NR9-1000py

問題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設(shè)計(jì)的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。

2．請(qǐng)問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？

A 美國光刻膠，F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過HMCTS

silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請(qǐng)問，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers