并聯(lián)型晶體振蕩器電路振蕩過程

接通電源后，三極管VT導(dǎo)通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號。這些信號加到C1、C2、X1構(gòu)成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號，在X1、C1、C2兩端有f0信號電壓，取C2兩端的f0信號電壓反饋到VT的基-射極之間進行放大，放大后輸出信號又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復(fù)進行，VT輸出的信號越來越大，而VT放大電路的放大倍數(shù)逐漸減小，當(dāng)放大電路的放大倍數(shù)與反饋電路的衰減系數(shù)相等時，輸出信號幅度保持穩(wěn)定，不會再增大，該信號再送到其他的電路。

晶體振蕩器的振蕩器頻次

振蕩電路中，一個晶體管和一個線圈 - 電容由連接的組合是電路依賴振蕩條件（哈特萊振蕩器的Colpitts振蕩器電路，等等）。在這些電路中，當(dāng)將晶體諧振器連接到需要線圈作為振蕩條件的部分時，可以獲得固有頻率的振蕩輸出。該頻率可以很容易地以10 6的數(shù)量級獲得，因此被廣泛用作頻率和時間的參考。

由于晶體的大小，許多實際使用的晶體振蕩器約為1-20 MHz。當(dāng)需要更高的頻率時，將執(zhí)行泛音振蕩（或可將用于高頻的晶體單元用于泛音），或者使用倍頻器。

由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來更換晶體單元的方法。然而，通過調(diào)整外部電容，±0幾個％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個數(shù)字電路，由于計數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號。

晶體振蕩器基本知識

1、概念：電氣上為一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，有兩個諧振點，較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。

這兩個頻率接近，再很窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。

2、選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率；

3、分類：無源晶振（crystal,晶體）、有源晶振（oscillator，振蕩器）；

4、振蕩原理：壓電效應(yīng)；

5、壓電諧振：當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時，機械振動的幅度急劇增加；

6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來起振，石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用工作的；

振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來維持工作。

振蕩器比諧振器多了一個重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）；

7、Q值：衡量電感的主要參數(shù)，指電感器再某一頻率的交流下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。

Q值越高，損耗越小，效率越高；

為什么晶振尺寸越小,產(chǎn)品的靈活度越高

近年來，智能手機等移動設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等使用智能的電子設(shè)備迅速普及。而且，為了提高產(chǎn)品的設(shè)計靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對較小的無源晶振封裝了。如今，智能產(chǎn)品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會縮短，這樣來，有個好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，從而提升它們的交換頻率。因為每個晶體管在切換電子信號的時候，所消耗的動態(tài)功耗會直接和電流容量相關(guān)，從而使得運行速度加快，能耗變小。明白了這一點，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，制程就越先進；元器件的尺寸越小，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，處理器的功耗反而越低的道理了。