溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。微弧氧化電源因電壓要求較高(一般在510—700V之間)，需專門定制。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源

微弧氧化電解液組成及工藝條件

　     微弧氧化電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；處于熱等離子態(tài)的物質具有強的導電性，且能量集中，溫度較高，是一個高熱、高溫的能源。溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；陰極材料為不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。

       兩步電解法，靠前步：將鋁基工件在200g/L的鉀水玻璃水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；第二步：將經靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。陰極材料為：不銹鋼板；微弧氧化的工藝參數微弧氧化的工藝參數是指加工件上的外加電壓，一般說最終電壓決定微弧氧化膜的厚度，它是不斷升高而達到的，不能一次性加至最終電壓。溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術、微弧氧化生產線

微弧氧化技術的優(yōu)勢

       采用微弧氧化技術對鋁鎂鈦等輕金屬及其合金材料進行表面強化處理，微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化電解液電解液抗污染能力強和再生重復使用率高，因而對環(huán)境污染小，區(qū)別于傳統(tǒng)的電鍍非常環(huán)保，也符合我國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的需要。如，航空、航天、汽車、船舶、機械、石油、化工、醫(yī)用、電子等行業(yè)。微弧氧化技術、微弧氧化生產線、微弧氧化電源、微弧氧化工藝

微弧氧化技術應用前景

      微弧氧化技術具有很多優(yōu)點，如工藝簡單、不引入有毒物，符合當今清潔生產發(fā)展的要求，對要處理的零件形狀沒有特殊要求，特別是對異型零件、孔洞、焊縫的可加工能力強于其他表面陶瓷化工藝，因此微弧氧化技術在軍事、航空、航天、鐵路、機械、紡織、汽車、、電子、裝飾等許多領域有廣泛的應用前景。采用微弧氧化技術所制備的陶瓷膜同時具備了陽極氧化膜和陶瓷噴涂層兩者的優(yōu)點，可以部分替代陽極氧化膜和陶瓷噴涂的產品。微弧氧化的工藝研究主要集中在電流密度、電解液組成、電源模式、基材成分等工藝因素對氧化膜的厚度、結構與性能的影響方面。