真空腔體

真空技術(shù)主要包括真空獲得、真空測(cè)量、真空檢漏和真空應(yīng)用四個(gè)方面.在真空技術(shù)發(fā)展中,這四個(gè)方面的技術(shù)是相互促進(jìn)的.

隨著真空獲得技術(shù)的發(fā)展,真空應(yīng)用日漸擴(kuò)大到工業(yè)和科學(xué)研究的各個(gè)方面.真空應(yīng)用是指利用稀薄氣體的物理環(huán)境完成某些特定任務(wù).有些是利用這種環(huán)境制造產(chǎn)品或設(shè)備,如燈泡、電子管和等. 這些產(chǎn)品在使用期間始終保持真空,而另一些則只是把真空當(dāng)作生產(chǎn)中的一個(gè)步驟,產(chǎn)品在大氣環(huán)境下使用,如真空鍍膜、真空干燥和真空浸漬等.

真空的應(yīng)用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應(yīng)用.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極資料

真空開關(guān)作業(yè)在10-2Pa以上的高真空，因?yàn)榇丝虤怏w分子十分稀疏，氣體分子的碰撞游離對(duì)擊穿已經(jīng)不起效果，因而擊穿電壓表現(xiàn)出和電極資料有較強(qiáng)的相關(guān)性。

真空空隙的擊穿電壓跟著電極資料的不同而不同，研究者發(fā)現(xiàn)擊穿電壓和資料的硬度與機(jī)械強(qiáng)度有關(guān)。一般來說，硬度和機(jī)械強(qiáng)度較高的資料，往往有較高的絕緣強(qiáng)度。比如，鋼電極在淬火后硬度進(jìn)步，其擊穿電壓較淬火前可進(jìn)步80%。

此外，擊穿電壓還和陰極資料的物理常數(shù)如熔點(diǎn)、比熱和密度等正相關(guān)，即熔點(diǎn)較高的資料其擊穿電壓也較高。比照熱和密度而言亦然。這一問題的實(shí)質(zhì)是在相同熱能的效果下，資料發(fā)作熔化的概率越大，則擊穿電壓越低。

真空腔體制造技術(shù)

基板指的是一個(gè)大的法蘭適配器，可以把一個(gè)位置低的腔體或者鐘形罩連接到真空泵?；逋ǔＳ幸粋€(gè)位于中心位置的端口或者法蘭連接裝置，可連接到真空抽氣系統(tǒng)。

脫氣箱或者脫氣室通常是腔體結(jié)構(gòu)，一般帶有鉸鏈接口，可連接不需要高真空環(huán)境的其他裝置，如塑料樣品、血液、粘合劑、化學(xué)制品或其他液體的除氣設(shè)備。

輔助井用于連接抽氣系統(tǒng)和鐘形罩。

基地井整合了基板和真空密封頸，用焊接接頭取代一個(gè)真空密封件，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)基板和密封設(shè)備兩個(gè)部件的功能。

鐘形罩由圓柱形的主體和一個(gè)半球形或球形的端口組成。可選材料包括玻璃、金屬和塑料。標(biāo)準(zhǔn)鐘形罩的直徑是12英寸，14英寸，18英寸和24英寸。