氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結構,點群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結于正電荷Z離子,(0001)面終結于負電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,具有優(yōu)良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。ZnO半導體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達60MeV,使其在紫外半導體光電器件方面具有很大潛在應用價值。制備難度和誘人的應用前景使得氧化鋅晶體的生長技術成為材料研究的熱點。氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程,而試驗中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程,控制了氧化鋅晶體的尺寸。

(1) XRD結果表明本試驗所獲得的產物全為ZnO,峰形尖而窄,說明其結晶度高,XRD圖譜與JCPDS卡片號36-1451一致,表明產物均為六方結構的ZnO,同時,晶格常數(shù)a=0.3257nm,c=0.52156nm,因此本文研究得到的氧化鋅晶體為六方紅鋅礦結構。

 (2) 通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明,晶體像一根長針,說明晶體沿一個方向生長,從XRD看出,(000ι)為主要生長方向,這與通常報道的氧化鋅具有沿 c軸取向生長的機理相同。