ParyleneC 在芳烴上一個氫被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過率，沉積生長速率也比N型快得多，是目前應用廣、防護效果好的粉材。ParyleneD 在芳烴上二個氫被二個氯原子取代，具有阻燃性。在更高溫度下具有相對更好的物理及電性能，同時與N、和C型相比，具有更好的熱穩(wěn)定性。

ParyleneHT是苯環(huán)上的4個氫原子被氟取代，與C,N,D比較，其薄膜的介電強度高、介電常數(shù)低(即透波性能好)，熱穩(wěn)定性好。薄膜本身連續(xù)、致密、無,短期耐溫可達450攝氏度，長期耐溫可達350攝氏度,并具有強的抗紫外線能力，更適合作為高頻微波器件的防護材料。

Parylene D是系列中的第三個成員，它由雷同的單體系方式成，只是將其中兩個芳香烴氫原子被氯原子庖代。Parylene D的性子與Parylene C相似，但是具有更高的耐熱能力。

Parylene HT（SCS）該材料具有更低的介電常數(shù)(即透波性能好)、好的穩(wěn)固性和防水、防霉、防鹽霧性能.短期耐溫可達450攝氏度,長期耐溫可達350攝氏度,并具有強的抗紫外線能力.更適合作為高頻微波器件的防護材料.

Parylene鍍膜涂層作為蒸發(fā)源的材料必須具備熔點高、揮發(fā)低、高溫冷卻后脆性小等性質(zhì)。常用的線狀蒸發(fā)源應能與蒸發(fā)金屬相潤濕，熔點遠遠大于待鍍金屬的蒸發(fā)溫度，不與待鍍金屬發(fā)生反應生成合金。

放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射法。