氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長完1美、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個冶煉過程非常耗時耗能，將長達(dá)幾十個小時。在這個過程中如何調(diào)整控制電流和電壓，使冶煉過程能夠安全穩(wěn)定運行，電控系統(tǒng)承擔(dān)了zui艱巨的任務(wù)。

目前生產(chǎn)氧化鎂晶體的主流技術(shù)是電弧爐熔融法。主要通過高溫電弧作熱源在原料中心形成熔體，在加熱過程停止后熔體經(jīng)自然冷卻得到晶體。傳統(tǒng)的電弧爐的結(jié)構(gòu)較為簡單，爐殼是由耐火磚與鋼殼構(gòu)成，電極的功率和位置控制主要是靠經(jīng)驗手動操作。由于氧化鎂(MgO)單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2"及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實及潛在應(yīng)用市場。

單晶氧化鎂是指MgO含量在99.95%以上，具有極強(qiáng)的耐高低溫（高溫2500℃，低溫-270℃）抗腐蝕性、絕緣性和良好的導(dǎo)熱性和光學(xué)性能、無色透明的晶體。氧化鎂(MgO)單晶具有優(yōu)良的耐高低溫特性(_270°C 2800°C)、高純度(彡99. 95%)、抗腐蝕、極佳的絕緣性、良好導(dǎo)熱性、良好的透光性(光波長200-2000nm時透過率為85、9%，光波長2. 5-7 μ m時透過率大于92%)等優(yōu)良特性。

對天然菱鎂礦的加熱得到氧化鎂（MgO）,再將其加入到電弧爐中,加熱到2800°C以上,會生長出氧化鎂（MgO）晶體。氧化鎂（MgO）單晶是非常重要的基片材料和光學(xué)材料,在很多領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無線通訊的發(fā)展，單晶氧化鎂的需要量越來越大，發(fā)展前景非常廣闊。在各領(lǐng)域應(yīng)用中，氧化鎂單晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之間，甚至更大。