化學氣相沉積的分類

化學氣相沉積的方法很多，如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強化學氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發(fā)生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。

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等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態(tài)膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學反應等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。刻蝕腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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