ASEMI肖特基二極管BD10100CT

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ASEMI肖特基二極管BD10100CT 電性參數(shù):10A，100V，其封裝為TO-251封裝，是一款80％采用俄羅斯米克朗（Mikron）高抗沖擊能力芯片及20％采用國內(nèi)先進的SCHOTTKY生產(chǎn)廠家立昂（Lion）芯片為基材的肖特基二極管，從根本上保證了其效率穩(wěn)定持續(xù)工作的性能，而其黑膠部分采用進口環(huán)氧塑脂材質(zhì)，加強了它的包封性能和阻燃性能；在引腳及框架方面，更是采用無縫焊接技術(shù)加粗設(shè)計，使其擁有更強的減少氧化、抗彎曲和導(dǎo)電性能，如此多的優(yōu)越材質(zhì)集一身，怎能不耀眼呢？

?MBR10200CT肖特基二極管，臺灣ASEMI品牌

MBR10200CT 肖特基二極管，臺灣ASEMI品牌，其電性參數(shù)為10A，200V，封裝為：TO-220封裝，芯片采用的是2個86MIL的俄羅斯進口Mikron芯片，印字采用的是鐳射激光打標(biāo)，不易退色。

ASEM仍然堅持自己的原則，堅持執(zhí)行優(yōu)品質(zhì)方針，努力做到“產(chǎn)品精益求精”，滿足客戶并超越客戶的需求，與客戶攜手同行，走向成功之路。

?ASEMI品牌肖特基二極管MBR40100CT

ASEMI品牌肖特基二極管MBR40100CT主要應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。MBR40100CT這款肖特基二極管它的芯片是采用130MIL的大芯片,電流40A，耐壓：100V；正向電壓為0.84V，正向電流為40A，反向電壓為100V，它的浪涌電流為160A，漏電流為5uA。

ASEMI肖特基二極管全部進口先進技術(shù)的芯片材料，從根本上保證產(chǎn)品的性能，內(nèi)置芯片全部是耐高抗沖擊的技術(shù)要求，確保開機瞬間的大電流與電路電壓疊加等因素影響時依然能正常工作。

?ASEMI低壓降肖特基15V45

ASEMI半導(dǎo)體15V45是一款采用277封裝的低壓降肖特基產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的設(shè)計優(yōu)勢對于體積大幅壓縮，有效縮小應(yīng)用產(chǎn)品的體積空間。ASEMI半導(dǎo)體15V45壓降控制在0.38V的壓降是應(yīng)用在高頻率快速充電器產(chǎn)品的較好選擇。目前市面上已經(jīng)有華為、小米等公司的充電器產(chǎn)品采用此款封裝的低壓降肖特基二極管成功應(yīng)用案例。高超的品質(zhì)工藝與電性表現(xiàn)使得ASEMI半導(dǎo)體15V45低壓降二極管銷量行業(yè)持續(xù)高增。