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激光脈沖沉積裝置公司點(diǎn)擊了解更多「沈陽鵬程」

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發(fā)布時(shí)間:2021-10-25 02:30  






脈沖激光沉積

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

在一階段,激光束聚焦在靶的表面。磁力桿傳送基底到基底旋轉(zhuǎn)器上,可手動(dòng)或電動(dòng)降低旋轉(zhuǎn)器,實(shí)現(xiàn)簡單快速地更換4。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí),靶表面的一切元素會快速受熱,到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會從靶中分離出來,而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。物質(zhì)的瞬時(shí)熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象,例如碰撞、熱,與電子的激發(fā)、層離,以及流體力學(xué)。

在第二階段,根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律,發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向,并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象。通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。空間厚度隨函數(shù)cosnθ而變化,而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度,對沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個(gè)因素,支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn),將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個(gè)碰撞區(qū)。放出的高能核素碰擊基片表面,可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個(gè)碰撞區(qū)。膜在這個(gè)熱能區(qū)(碰撞區(qū))形成后立即生成,這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高,熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到,由於熔化粒子流減弱,膜便能在基片表面生成。



脈沖激光沉積的應(yīng)用領(lǐng)域

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積,以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域:

單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3)

壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3)

鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4)

熱電薄膜(SrTiO3)

金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3)

半導(dǎo)體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3)

高K介質(zhì)薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5)

超導(dǎo)薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

光波導(dǎo),光學(xué)薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2)

超疏水薄膜(PTFE)

紅外探測薄膜(V2O5,PZT)



PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD 能力結(jié)合在一起。

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脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商,我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

【設(shè)備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù),用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié),也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設(shè)備優(yōu)點(diǎn)】

設(shè)備全程采用一鍵式操作抽氣,關(guān)機(jī),程序自動(dòng)化定時(shí)操作。避免了繁瑣的角閥,插板閥人工開啟。

【設(shè)備主要組成】

設(shè)備由沉積腔室(單室球形或圓筒形)、樣品加熱轉(zhuǎn)臺、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成



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