物理氣相沉積技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。 物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

納米鍍膜技術(shù)及研發(fā)使用配方, 能在金、銀、鎢、鈷、鈀等不同表面形成2-10nm厚度左右的鍍層，從而使金屬表面具有良好的耐磨性、導(dǎo)電性能、耐腐蝕、耐高溫、防氧化及改變表面張力等特性，從而提升材料性能，可以的改善產(chǎn)品品質(zhì)。

真空鍍膜表面的清洗非常重要，直接影響鍍膜產(chǎn)品的質(zhì)量。在進入鍍膜室之前，工件須在鍍膜前仔細清洗。為了避免加工過程中造成的缺陷，真空鍍膜廠家基本上可以通過脫脂或化學(xué)清洗的方式去除。真空鍍膜是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術(shù),在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。超聲波化學(xué)氣相沉積

真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用時較早的。真空鍍膜技術(shù)在電子方面開始是用來制造電阻和電容元件，之后隨著半導(dǎo)體技術(shù)在電機學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用，又使這一技術(shù)成為晶體管制造和集成電路生產(chǎn)的必要工藝手段。近年來，隨著集成路向大規(guī)模和超大規(guī)模集成方向發(fā)展，從而又對真空鍍膜技術(shù)提出了新的要求。因而在電機學(xué)領(lǐng)域中又產(chǎn)生了一個新的分支一薄膜微電子學(xué)。真空鍍膜表面的清洗非常重要，直接影響電鍍產(chǎn)品的質(zhì)量。在進入鍍膜室之前，工件須在電鍍前仔細清洗。