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微弧氧化膜厚度滿意的選擇 日照微弧養(yǎng)護(hù)技術(shù)

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發(fā)布時(shí)間:2020-07-24 14:41  






微弧氧化

       微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等,是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用,原位生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。在微弧氧化過(guò)程中,化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過(guò)程非常復(fù)雜,至今還沒(méi)有一個(gè)合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。微弧氧化微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等,是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用,原位生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。


微弧氧化技術(shù)特點(diǎn)

1、提高材料表面硬度微弧氧化膜層為表面多孔(孔徑為幾微米)、內(nèi)部致密的陶瓷層。 膜層硬度高(維氏硬度可由幾百至三千左右) 膜層與基體為冶金結(jié)合、厚度在幾微米至幾百微米之間。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

2、微弧氧化技術(shù)絕緣性好耐熱性高,可承受高溫使用,范圍根據(jù)基材熔點(diǎn)溫度 有良好的絕緣性能,絕緣電阻膜阻>100MΩ 絕緣耐壓>5000V/秒。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)工藝


       微弧氧化電源設(shè)備是一種高壓大電流輸出的特殊電源設(shè)備,輸出電壓范圍一般為0~600V;微弧氧化技術(shù)的特點(diǎn)是什么微弧氧化技術(shù)是新型的環(huán)保的技術(shù),下面咱們一起了解一下微弧氧化技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。輸出電流的容量視加工工件的表面積而定,一般要求6~10A/dm2。電源要設(shè)置恒電壓和恒電流控制裝置,輸出波形視工藝條件可為直流、方波、鋸齒波等波形。  微弧氧化膜層性能檢測(cè)儀器膜層的性能檢測(cè)包含三部分院厚度表征、硬度表征、形貌表征、相成分表征和表面粗糖度表征等。


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