脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

隨著現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展，薄膜科學(xué)已成為近年來迅速發(fā)展的學(xué)科領(lǐng)域之一，是凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的一個(gè)重要研究領(lǐng)域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內(nèi)涵，而且在微電子、光電子、超導(dǎo)材料等領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用。長(zhǎng)期以來，人們發(fā)明了多種制膜技術(shù)和方法：真空蒸發(fā)沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。在第二階段，根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律，發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象。上述方法各有特點(diǎn)，并在一些領(lǐng)域得到應(yīng)用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發(fā)展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術(shù)的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)的特點(diǎn)逐漸被人們認(rèn)識(shí)和接受

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脈沖激光沉積

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí)，靶表面的一切元素會(huì)快速受熱，到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會(huì)從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。PLD450型脈沖激光鍍膜介紹沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔?。物質(zhì)的瞬時(shí)熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。

在第二階段，根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律，發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象?？臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對(duì)沉積膜是否均勻有重要的影響?！驹O(shè)備主要組成】設(shè)備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉(zhuǎn)臺(tái)、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成。靶與基片的距離是另一個(gè)因素，支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會(huì)縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對(duì)基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。磁力桿傳送基底到基底旋轉(zhuǎn)器上，可手動(dòng)或電動(dòng)降低旋轉(zhuǎn)器，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單快速地更換4。膜在這個(gè)熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場(chǎng)所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積的應(yīng)用領(lǐng)域

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域：

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導(dǎo)體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質(zhì)薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導(dǎo)薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導(dǎo)，光學(xué)薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測(cè)薄膜（V2O5，PZT）

脈沖激光沉積系統(tǒng)的配置介紹

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;

2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境的壓力可達(dá)300mtorr;

3.基板加熱電源，高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;

5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測(cè):真空計(jì);

9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;

10.薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;

11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;

12.各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子;

13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;