擴散傳感器

被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與TBP-1擴散硅無腔壓力傳感器介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個對應于這一壓力的標準測量信號。

擴散硅線路板均采用新型放大電路，選用國外進口芯片元件，較其他同類產(chǎn)品具有更高的精度和穩(wěn)定性，是為各類橋接傳感器配套的專用變送電路，適配擴散硅、陶瓷壓組、應變片等多種壓力傳感器。可與專用壓力變送器殼體組成一體化壓力變送器，也可單獨安裝使用。

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擴散硅壓力變送器

擴散硅壓力變送器具有工作可靠、性能穩(wěn)定、安裝使用方便、體積小、重量輕、性能價格比高等點，能在各種正負壓力測量中得到廣泛應用。擴散硅壓力變送器采用進口擴散硅或陶瓷芯體作為壓力檢測元件，傳感器信號經(jīng)電子放大器轉(zhuǎn)換成0-10mA或4-20mA統(tǒng)一輸出信號。壓力變送器可替代傳統(tǒng)的遠傳壓力表，霍爾元件、差動變送器，并具有DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型變送器性能。

擴散硅壓力傳感器的基本原理

壓力傳感器的制造中一般利用集成電路平面工藝，用雜志擴散或離子注入的方法形成電阻器。擴散層被用來作為應力或應變敏感的電阻器，電流邊與擴散層被用來作為應力或應變敏感的電阻器，電流便與擴散層表面平行流過電阻器。在壓力傳感器的設計。制造時，需要了解不同溫度下硅擴散層的壓阻特性，選擇合適的擴散條件，選用一定型號、晶向的擴散電阻以獲得較高的靈敏度和曉得靈敏度系數(shù)，力求使壓力傳感器有良好的性能。

擴散層的平均壓阻系數(shù)：擴散層中雜質(zhì)往往呈誤差函數(shù)（恒定表面源條件下）或余誤差函數(shù)（恒定表面濃度條件）分布。也就是說，表面雜質(zhì)濃度高，電流便呈現(xiàn)不均勻分布。雖然應力在電阻的縱剖面是均勻分布的，而壓阻系數(shù)取決于雜質(zhì)濃度。以此在擴散層上電阻的改變的百分量是不同的。這又使擴散層中電流在縱向中心分布并造成壓阻值和應力之間的非線性。

擴散層硅的電阻溫度特性與壓力傳感器的熱零點漂移以及熱靈敏度有密切的關(guān)系。