碳化硅在鑄造生產(chǎn)上的使用已經(jīng)比較多了，根據(jù)大家使用的情況來看，效果是比較好的，特別是熔煉中，增加石墨核心，提高球鐵的石墨球數(shù)，改善灰鐵的石墨形態(tài)都非常有益。碳化硅的使用在國(guó)外比較廣泛，不管是電爐還是沖天爐，都加入此種物質(zhì)。

由于碳化硅的熔點(diǎn)很高，在2700度左右，那么在我們普通鑄造生產(chǎn)的爐子里面，不可能有這么高的溫度，所以說，在我們鑄造熔煉溫度下，碳化硅的溶解時(shí)熔融狀態(tài)逐漸分解的，擴(kuò)散的，比較慢，所以在爐內(nèi)加入碳化硅的時(shí)間應(yīng)該比其他合金早一些，一般在爐料熔煉到爐內(nèi)三分之一到一半時(shí)加入，讓其有充分的溫度，時(shí)間條件去分解。電動(dòng)汽車的電動(dòng)模塊中電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載，其轉(zhuǎn)速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)復(fù)雜，采用碳化硅功率器件可有效提高其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導(dǎo)率以及能在更高溫度下穩(wěn)定工作。

碳化硅磨料所具有的的特性，使碳化硅磨具在磨削加工中成為磨削硬脆材料及硬質(zhì)合金的理想工具，精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用壽命長(zhǎng)，同時(shí)還可改善勞動(dòng)條件。因此廣泛用于普通磨具難于加工的低鐵含量的金屬及非金屬硬脆材料，如硬質(zhì)合金、高鋁瓷、光學(xué)玻璃、瑪瑙寶石、半導(dǎo)體材料、石材等。主要用于制作砂輪、砂紙、砂帶、油石、磨塊、磨頭、研磨膏及光伏產(chǎn)品中單晶硅、多晶硅和電子行業(yè)的壓電晶體等方面的研磨、拋光等。

碳化硅的生產(chǎn)流程：將石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑按比例混合；將原材料加入電阻爐中，原料在電阻爐中經(jīng)過2250℃以上高溫精煉制成碳化硅；經(jīng)過數(shù)小時(shí)的冶煉后，傾倒出碳化硅；將容器中的碳化硅冷卻；碳化硅是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，和原工藝相比各項(xiàng)理化性能更加穩(wěn)定脫氧效果好。將碳化硅放入制砂機(jī)中粉碎，生產(chǎn)出碳化硅段砂；粉碎后，該材料將運(yùn)往磁分離去雜質(zhì)，并進(jìn)入磨粉機(jī)進(jìn)行粉磨。

碳化硅作為未來電動(dòng)汽車充電模塊和電動(dòng)模塊相關(guān)重要核心的電子材料，能實(shí)現(xiàn)綠色出行的能源供應(yīng)、低碳、智能、可持續(xù)發(fā)展，搶占未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)。碳化硅器件對(duì)充電模塊性能提升主要體現(xiàn)在三方面：(1)提高頻率，簡(jiǎn)化供電網(wǎng)絡(luò);(2)降低損耗，減少溫升。(3)縮小體積，提升效率。碳化硅的使用在國(guó)外比較廣泛，不管是電爐還是沖天爐，都加入此種物質(zhì)。

碳化硅器件能提高純電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化性能。電動(dòng)汽車的電動(dòng)模塊中電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載，其轉(zhuǎn)速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)復(fù)雜，采用碳化硅功率器件可有效提高其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導(dǎo)率以及能在更高溫度下穩(wěn)定工作。碳化硅作為研磨劑，可以用作研磨工具，例如砂輪，油石，研磨頭，砂瓦等。

綠碳化硅制成的磨具，多用于硬質(zhì)合金、鈦合金、光學(xué)玻璃的磨削，一起也用于缸套的珩磨。立方碳化硅磨具于微型軸承的超精磨。用電鍍辦法將碳化硅微粉涂敷于水輪機(jī)葉輪上，可大大提高葉輪的耐磨性；用機(jī)械壓力將立方體SiC200號(hào)磨粉與W28微粉壓入內(nèi)燃機(jī)的汽缸壁上，可延長(zhǎng)缸體壽數(shù)一倍以上。碳化硅的使用成本較低，加入碳化硅顆?？梢苑乐刮龀鎏蓟铮黾予F素體量，使鑄鐵組織致密，經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)總結(jié)得出碳化硅在灰鑄鐵生產(chǎn)中已經(jīng)成為重要的材料。

在電氣工業(yè)中，碳化硅可用做避雷器閥體、硅碳電熱元件、遠(yuǎn)紅外線發(fā)生器等。在電子工業(yè)中，如在工業(yè)碳化硅爐內(nèi)或在工業(yè)爐上用特別辦法培育出來大片完好的碳化硅單晶體，可作為發(fā)光二極管的基片；高純碳化硅晶體是制造耐輻射高溫半導(dǎo)體的材料。碳化硅是少量禁帶寬度大(2.86eV)且具有P及n兩種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體資料之一。碳化硅應(yīng)用減輕鑄鐵件的壁厚敏感性，使鑄件薄、厚截面處顯微組織的差別小，硬度差別也小。