ASEMI肖特基二極管BD20100CS

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ASEMI肖特基二極管BD20100CS，電性參數(shù)為：20A 100V，封裝為TO-252廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。產(chǎn)品外觀黑膠部分，采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材質(zhì)，使其擁有很好的包封和阻燃性能；所用的框架和引腳采用無縫焊接技術(shù)鍛造而成，材質(zhì)選用高純度無氧銅，具有抗彎曲，減少氧化和高導(dǎo)電性能；型號打碼采用的是鐳射激光打標(biāo)，不易褪色，

?MBR60200PT肖特基二極管ASEMI

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ASEMI肖特基二極管MBR60200PT屬于大功率產(chǎn)品要用大電流的肖特基二極管來起整流的作用，這也是現(xiàn)在越來越多的工程師設(shè)計選擇思路具有正向整流輸出大電流.

MBR60200PT肖特基二極管     ASEMI導(dǎo)讀:

型號：MBR60200PT                 品牌：ASEMI

封裝：TO-247/3P                  特性：肖特基二極管

★電性參數(shù)：60A，200V            ★芯片材質(zhì)：SI

★正向電流(Io)：60A              ★芯片個數(shù)：2

★正向電壓(VF)：0.89V            ★芯片尺寸：150MIL

★浪涌電流Ifsm：200A             ★是否進(jìn)口：否

★漏電流(Ir)：10UA               ★工作溫度：-50~125

★恢復(fù)時間(Trr)：<5nS            ★引線數(shù)量：3

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45，電性參數(shù)為10A 45V，是手機(jī)充電器品牌，ASEMI半導(dǎo)體采用的第三代芯片制造工藝，所產(chǎn)芯片性能穩(wěn)定，可靠性高，目前ASEMI半導(dǎo)體擁有先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝和臺灣健鼎一體化自動測試設(shè)備，產(chǎn)品合格率達(dá)99%。

ASEMI低壓降肖特基二極管作為未來高頻整流器件采納的典型代表，越來越多的被電源工程師門認(rèn)可。那么問題了，為什么越來越多的客戶愿意選擇ASEMI品牌低壓降二極管呢？其實臺灣ASEMI品牌作為低壓降肖特基二極管行業(yè)旗幟。

ASEMI肖特基MBR60200PT

ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀，本節(jié)我們以它為列，通過講解其各項參數(shù)，會讓你對整個肖特基產(chǎn)品系列有一個更深入的了解，為了更直觀方便的說明，我們以MBR60200PT的規(guī)格書為模板進(jìn)行解說：

下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁面文檔，我們會自上而下逐條講解每個參數(shù)所代表的意義及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓

Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻（每條腿)

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率（額定VR）

Operating Junction Temperature—— 工作溫度

Storage Temperature ——儲存溫度