湖北豐熱科技有限公司（原武漢離子熱處理研究所），專業(yè)制造輝光離子滲氮爐的高新技術(shù)企業(yè)；是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售安裝輝光離子滲氮爐，并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術(shù)服務(wù)。

輝光離子滲氮的特點有：可節(jié)約能源和氨的消耗量，電能消耗為氣體氮化的1/2～1/5，氨氣消耗為氣體氮化的1/5～1/20。Roth等人用離子捕獲原理解釋APGD，即當(dāng)所用工作電壓頻率高到半個周期內(nèi)可在極板之間捕獲正離子，又不高到使電子也被1捕獲時，將在氣體間隙中留下空間電荷，它們影響下半個周期放電，使所需放電場強明顯降低，有利于產(chǎn)生均勻的APGD。易于實現(xiàn)局部氮化，只要設(shè)法使不欲氮化的部分不產(chǎn)生輝光即可1，非滲氮部位便于保護，采用機械屏蔽、用鐵板隔斷輝光，即可保護。

射頻磁控濺射氣體放電時，由于射頻靶電源輸出交變高頻正弦電壓波形，致使電子碰撞工作氣體的幾率大為增多，工作氣體離化率高，等離子阻抗低，射頻磁控濺射膜層沉積速率為二極射頻濺射的數(shù)倍。輝光放電的特征是電流強度較?。s幾毫安），溫度不高，故電管內(nèi)有特殊的亮區(qū)和暗區(qū)，呈現(xiàn)瑰麗的發(fā)光現(xiàn)象。兩種靶電源不同之處：選用(工藝型)雙極矩形波或正弦波中頻靶電源，因其輸出的電壓和電流的占空比可以大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)，鍍膜時電源的工藝參數(shù)適應(yīng)范圍比“經(jīng)濟型”中頻靶電源要寬很多。 。

法國的Massines小組、加拿大的Radu小組和俄羅斯的Golubovskii小組對APGD的形成機理也進行了比較深入的研究工作。Massines小組對氦氣和氮氣的APGD進行了實驗研究和數(shù)值模擬 ，除了測量外加電壓和放電電流之外，他們用曝光時間僅10ns的ICCD相機拍攝了時間分辨的放電圖像，用時空分辨的光譜測量記錄了放電等離子體的發(fā)射光譜，并結(jié)合放電過程的一維數(shù)值模擬，他們認(rèn)為，氮氣中的均勻放電仍屬于湯森放電，而氦氣中均勻放電才是真正意義上的輝光放電，或亞輝光放電。其特點是，隨著調(diào)節(jié)電源輸出的磁控靶工作電壓的增加，濺射電流也應(yīng)同步緩慢上升。他們還認(rèn)為，得到大氣壓下均勻放電的關(guān)鍵是在較低電場下緩慢發(fā)展大量的電子雪崩。