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發(fā)布時(shí)間:2020-11-01 09:23  







刻蝕工藝過程

以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供,今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關(guān)內(nèi)容,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!

等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離: 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素; 擴(kuò)散: 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面; 表面擴(kuò)散:到達(dá)表面后, 四處移動; 反應(yīng): 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng); 解吸: 反應(yīng)的生成物解吸, 離開硅片表面; 排放: 排放出反應(yīng)腔。















反應(yīng)性離子刻蝕

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容,創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)反應(yīng)性離子刻蝕機(jī),歡迎新老客戶蒞臨。

反應(yīng)性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時(shí),利用反應(yīng)性氣體的離子束,切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵,使之產(chǎn)生低分子物質(zhì),揮發(fā)或游離出板面,這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。










離子束刻蝕機(jī)

離子束分析具有一定能量的離子與物質(zhì)相互作用會使其發(fā)射電子、光子、X射線等,還可能發(fā)生彈性散射、非彈性散射以及核反應(yīng),產(chǎn)生反彈離子、反沖核、γ射線、氫核、氚核、粒子等核反應(yīng)產(chǎn)物,可以提供有關(guān)該物質(zhì)的組分、結(jié)構(gòu)和狀態(tài)等信息。利用這些信息來分析樣品統(tǒng)稱離子束分析。在離子束分析方法中,比較成熟的有背散射分析X射線熒光分析、核反應(yīng)分析和溝道效應(yīng)(見溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng))與其他分析相結(jié)合的分析方法等。此外,利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級離子質(zhì)譜(SZMS)等。超靈敏質(zhì)譜(質(zhì)譜)、帶電粒子活化分析、離子激發(fā)光譜、離子激發(fā)俄歇電子譜等正在發(fā)展中。用于離子束分析的MV級已有專門的商業(yè)化設(shè)備。










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