濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。

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刻蝕工藝過(guò)程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后， 四處移動(dòng)； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開(kāi)硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕機(jī)

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動(dòng)能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過(guò)程。

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