關(guān)于蝕刻狀態(tài)不相同的問題

大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分, 而這些問題來自于蝕刻劑 所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。 對這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面 上﹐一方面會影響噴射力﹐另一方面會阻檔了新鮮蝕刻液的補(bǔ)充﹐使蝕刻的速度被降低。有人說叫它腐蝕標(biāo)牌不是很妥切，因?yàn)楦g一詞多指金屬在自然條件下所遭受的破壞行為的一種結(jié)果。 正因膠狀板結(jié)物的形成和堆積, 使得基板上下面的圖形的蝕刻程度不同, 先進(jìn)入的基板因 堆積尚未形成﹐蝕刻速度較快, 故容易被徹底地蝕刻或造成過腐蝕﹐而后進(jìn)入的基板因堆 積已形成﹐而減慢了蝕刻的速度。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進(jìn)入通道網(wǎng)絡(luò)，所以通過微加工技術(shù)所制得的具有不同結(jié)構(gòu)和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ? 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。將酸液稀釋用吸量管吸取10ml酸液，放入100ml容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機(jī)物和金屬物等清除干凈，包括 化學(xué)清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進(jìn)行 對玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的 蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

三、堿溶液的配制 1) 配制比例 (分析純) NaOH (g) : 1 : 純水 H2O(ml) 45 (約 2%)

2) 配制方法 a.開槽配制約 200 升堿液；2～2g/l，增稠劑2～20g/l，拋光溫度為25～40℃，拋光時(shí)間為1～5h。 b.稱取 4.4kg , 置于白色塑料筒中, 再量取約 195 升純水將其溶解。 3)配制堿液的注意事項(xiàng): a.先將固體(NaOH)盡量搗碎, 再用適量純水溶解,后加入剩余的純水配成； b.整個(gè)過程中,需不停攪拌,盡可能不讓沉淀結(jié)塊； c.攪拌速度適中,不宜過快。 四、純水 a.用精密 PH 試紙(5.0~8.0)測試, PH=6.5~7.0 方可生產(chǎn)； b.開啟排水閥及進(jìn)水閥正洗水質(zhì)電阻率(即混床電阻率)≧1MΩ cm(1μ s/cm),方可生產(chǎn)。