很多實驗研究發(fā)現(xiàn)，鈍化層或底層、濕氣滲透和/或裸片邊緣離層是晶圓級封裝常見的熱機械失效模式。此外，裸片邊緣是一個特別敏感的區(qū)域，我們必須給予更多的關注。事實上，扇入型封裝裸片是暴露于空氣中的（裸片周圍沒有模壓復合物覆蓋），容易被化學物質污染或發(fā)生現(xiàn)象。先進的封裝技術能夠集成多種制程工藝的計算引擎，實現(xiàn)類似于單晶片的性能，但其平臺范圍遠遠超過單晶片集成的晶片尺寸限制。所涉及的原因很多，例如晶圓切割工序未經優(yōu)化，密封環(huán)結構缺陷(密封環(huán)是指裸片四周的金屬花紋，起到機械和化學防護作用)。此外，由于焊球非?？拷g化層，焊球工序與線路后端?？赡軙嗷ビ绊?。

封裝焊點熱疲勞失效

許多集成電路傳統(tǒng)上使用不含鉛的焊點凸點作為與其它管芯、封裝、甚至印刷電路板(PCB)的連接。相鄰層中不同的熱膨脹系數(shù)和溫度會使材料產生不同的膨脹和收縮。這些熱機械力，振動、機械沖擊等，會對焊點造成應變，并可能導致焊點和互連表面的裂紋。這些技術將大大提高產品級性能和功效，縮小面積，同時對系統(tǒng)架構進行改造。近，銅柱變得流行起來，因為它們的焊點間距更小。然而，這些相互連接的剛性更強，根據(jù)施加的應變，可能會更快地失效。

鋰電池過充時，電池電壓會迅速上升，正極的活性物質結構變化，產生大量的氣體，放出大量的熱，使鋰電池溫度和內部壓力急劇增加，存在隱患。PPTC是作為應用廣泛的鋰電池二級保護元件，在鋰電池溫度異常持續(xù)升高的情況下，PPTC可以截斷鋰電池的充電電流，避免隱患出現(xiàn)。CIS封裝測試行業(yè)驅動因素：這里主要指的是CSP封裝形式的CIS封裝，行業(yè)增長因素主要來自于800萬像素以下低像素攝像頭顆數(shù)的增長。常規(guī)PPTC在某些熱帶帶高溫高濕的環(huán)境中，出現(xiàn)失效的情況，究其原因是常規(guī)PPTC受高溫高濕環(huán)境水汽影響導致升阻失效，新型的封裝大大提高了PPTC在高溫高濕環(huán)境中的使用壽命，拓展了PPTC的應用場景。

此封裝的基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分，當沒有特別表示出材料時，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是普及的多引腳LSI封裝。當電子產品尺寸不斷縮小時，其內部使用的半導體器件也必須變小，更小的半導體器件使得電子產品能夠更小、更輕、更便攜，相同尺寸包含的功能更多。SOT封裝既大大降低了高度，又顯著減小了PCB占用空間。QFP(QuadFlatPackage)：四側引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。半導體封裝經歷了三次重大革新：次是在上世紀80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，它極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在上世紀90年代球型矩陣封裝的出現(xiàn)，滿足了市場對高引腳的需求，改善了半導體器件的性能；芯片級封裝、系統(tǒng)封裝等是第三次革新的產物，其目的就是將封裝面積減到。