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金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式
金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝,標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么,金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。但除了某些設(shè)備和工具比以前先進(jìn)了之外,所有工藝大都沒有以前正規(guī)的標(biāo)牌廠那樣嚴(yán)格正規(guī),很多人只想打破由正規(guī)渠道學(xué)技術(shù)的模式,使得粗制濫造的現(xiàn)象很普遍。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板,擁有精致的線條紋路,使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕,柔,美就是鋁牌的特點(diǎn)。這種鋁表面還有一層保護(hù)膜保護(hù)好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進(jìn)行加工,一起來看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧!
突破性的蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)原子級的蝕刻精準(zhǔn)性,從而推動摩爾定律發(fā)展;隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細(xì),選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料;該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞,用于生產(chǎn)先進(jìn)FinFET和存儲芯片生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料,而不破壞其他材料是我們在蝕刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新,豐富了我們的差異化產(chǎn)品線,通過實(shí)現(xiàn)選擇性清除工藝,推動了摩爾定律發(fā)展,創(chuàng)造了新的市場機(jī)遇。金屬標(biāo)牌蝕刻工藝流程金屬的種類不同,其蝕刻工藝的流程也不同,標(biāo)牌蝕刻是現(xiàn)在比較常見的一種形式,因成本較低,收入穩(wěn)定大受歡迎,很多人在選擇蝕刻加工時(shí)都會選擇標(biāo)牌蝕刻法。
隨著先進(jìn)微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn),例如濕性化學(xué)成分無法穿透微小結(jié)構(gòu),或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。有人說叫它腐蝕標(biāo)牌不是很妥切,因?yàn)楦g一詞多指金屬在自然條件下所遭受的破壞行為的一種結(jié)果。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進(jìn)入極狹小的空間,從而實(shí)現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準(zhǔn)性,適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力,顯著擴(kuò)大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍,可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能,芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備,并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。
1.6 蝕刻
可用兩種方法進(jìn)行蝕刻: A、電解法:電流 15-50A,電壓 3-5V,電解液:20%氯化銨、20%硫酸,陽極用鈦板。電解過程中及時(shí)去掉陽極上浮 留電解銅,以保證電流正常通過。所以﹐采用無銅的添加液來漂洗板子(第二次噴淋操作的方法)﹐可大大地減少銅的排出量。 B、三氯化鐵法:選用較純的三氯化鐵泡成 30 波氏度溶液,流 動腐蝕。同一個(gè)版面要達(dá)到深淺不同效果,要在頭次達(dá)到淺度要求 后,清洗表面,烘干。在已達(dá)到淺度蝕刻處涂上(印上)普通耐蝕刻 油墨,再行二次蝕刻。 1.7 除膜 將已蝕刻完畢的銅板放在水、 30∶1∶0.1 溶液 中加溫至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 電鍍 除膜后的銅板圖案已經(jīng)很亮,很細(xì),無須再行鍍亮銅,可直接 進(jìn)行鍍鎳 40-90 秒,再行鍍金、鍍銀。
關(guān)于蝕刻狀態(tài)不相同的問題
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分, 而這些問題來自于蝕刻劑 所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。采用蝕刻方式制作的標(biāo)牌在儀器、儀表標(biāo)牌、設(shè)備編號牌等領(lǐng)域都有很好的應(yīng)用。 對這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面 上﹐一方面會影響噴射力﹐另一方面會阻檔了新鮮蝕刻液的補(bǔ)充﹐使蝕刻的速度被降低。 正因膠狀板結(jié)物的形成和堆積, 使得基板上下面的圖形的蝕刻程度不同, 先進(jìn)入的基板因 堆積尚未形成﹐蝕刻速度較快, 故容易被徹底地蝕刻或造成過腐蝕﹐而后進(jìn)入的基板因堆 積已形成﹐而減慢了蝕刻的速度。