由碳與氟反應(yīng)，或一氧1化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應(yīng)，或四氯1化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯1化碳與氟化1氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅，隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。

四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風(fēng)的地方會導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風(fēng)的庫房內(nèi)，嚴(yán)禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。