在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一樣，比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的，在正常大氣壓下就是氣態(tài)的，四氟化碳是有一定毒性的應(yīng)該不能用作呼吸。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。

四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧4化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。