對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品，是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒，在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在密閉容器中遇高熱有危險(xiǎn)，不溶于水，可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。由碳與氟反應(yīng)，或與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，都能生成四氟化碳。

四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬，與明火距離一般應(yīng)該不小于10米，氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃?xì)怏w，能夠保障液體運(yùn)輸?shù)陌踩?。在臨床醫(yī)學(xué)中，四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出，四氟化碳的應(yīng)用范圍廣泛，在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動(dòng)下，行業(yè)快速發(fā)展。溫室氣體，其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。

隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國(guó)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)仍在不斷擴(kuò)大，光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升，預(yù)計(jì)2020-2025年，我國(guó)高純四氟化碳市場(chǎng)需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長(zhǎng)。