四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于化學穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。四氟化碳，又稱為四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一種鹵代烴(化學式:CF4)。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲1烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好?；衔锏臒岱€(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。