一、選用硅碳棒電熱元件，必須保證元件的發(fā)熱部長度不大于爐膛的寬度。

　　二、在使用元件時(shí)應(yīng)選用合理的表面負(fù)荷，選擇此負(fù)荷應(yīng)視元件的使用溫度和環(huán)境氣氛而定。

　　三、硅碳棒電熱元件的電阻是1050攝氏度，溫度下測定的，在安裝中應(yīng)按元件的電阻進(jìn)行裝配。

　　四、爐膛兩側(cè)的安裝孔一般為元件冷端部直徑的1.5倍，且兩孔同心，孔與孔之見距離不小于元件直徑的3倍，元件安裝后，應(yīng)能轉(zhuǎn)動(dòng)，元件端頭之間接線應(yīng)以軟線鏈接，元件與壁爐，被燒物的距離不小于元件直徑的2倍。

五、使用硅碳棒電熱元件，應(yīng)配備調(diào)壓裝置，以保證棒在使用中電阻老化之后能獲得相應(yīng)的功率，棒因斷裂或老化需要更換，盡可能做到高溫阻值匹配，均擔(dān)負(fù)荷，保證使用壽命。

　　六、新建成或久未使用的窯爐在使用之前，應(yīng)采用其它熱源或已老化的元件烘干窯爐。

　　七、硅碳棒電熱元件硬而脆，在搬運(yùn)驗(yàn)收安裝中要輕拿輕放，在干燥通風(fēng)處保存，以防噴鋁處氧化潮解。

影響硅碳棒使用壽命的主要因素:

① 使用溫度

硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。

②表面負(fù)荷

表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。

表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）

實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。

爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系

圖示的使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實(shí)際情況下請保持臨界線的 1/2—1/3的表面負(fù)荷。

③ 爐內(nèi)氣氛

在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

④窯爐運(yùn)行方式

硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長。一般情況下，硅碳棒表面功率是由爐內(nèi)溫度和硅碳棒表面溫度的關(guān)系求得，建議使用硅碳棒極限密度的1/2-1/3數(shù)值的表面功率（W/cm2）（3）連續(xù)使用硅碳棒時(shí)，希望緩速增加電壓以維持長壽命。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時(shí)經(jīng)常急劇增加電阻。

⑤ 接線方法

如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。使用硅碳棒加熱既方便，又安全可靠，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體、分析化驗(yàn)、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶煉爐以及各類加熱設(shè)備的電加熱元件。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線時(shí)建議使用開放三角形接線。