?PVD真空鍍膜金屬真空鍍膜

PVD真空鍍膜過程的均勻性

PVD真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)一名稱。所以對于不同原理的PVD真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。

PVD鍍膜加工工藝流程比較長、工序繁多，發(fā)生故障的影響因素會很多。如PVD鍍膜前處理不凈、清洗不良、電解液成分失調及雜質污染、生產(chǎn)環(huán)境不良等。PVD鍍膜而故障的原因往往存在于以上各影響因素的一兩個細節(jié)之中。

 2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

   2.2.3直流二級濺射directcurrenodesputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

   2.2.4非對稱流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個電極間的非對稱流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

   2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。

   2.2.6熱陰極直流濺射（三極型濺射）hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽極和陰極（靶）之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

　　真空鍍膜技術初現(xiàn)于20世紀30年，四五十年開始出現(xiàn)工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應用。