ICP刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)

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ICP設(shè)備主要包括預(yù)真空室、刻蝕腔、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)四部分。

（1）預(yù)真空室預(yù)真空室的作用是確?？涛g腔內(nèi)維持在設(shè)定的真空度，不受外界環(huán)境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險(xiǎn)性氣體與潔凈廠房隔離開(kāi)來(lái)。它由蓋板、機(jī)械手、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、隔離門(mén)等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu)，它對(duì)刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響?？涛g腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

（3）供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過(guò)壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）精準(zhǔn)的控制氣體的流速和流量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

（4）真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套，分別用于預(yù)真空室和刻蝕腔體。預(yù)真空室由機(jī)械泵單獨(dú)抽真空，只有在預(yù)真空室真空度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，才能打開(kāi)隔離門(mén)，進(jìn)行傳送片?？涛g腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

影響因素

刻蝕率–氣壓（Pressure）。–溫度（Temperature）提高溫度會(huì)提高刻蝕率。–Micro-loading–刻蝕后腐蝕（Post-etch corrosion）。–殘留物（residual）。

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ICP刻蝕機(jī)檢測(cè)技術(shù)

高密度等離子體刻蝕是當(dāng)今超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出許多終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)，終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備就是為實(shí)現(xiàn)刻蝕過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)控而設(shè)計(jì)的。

光學(xué)發(fā)射:

光學(xué)發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點(diǎn)檢測(cè)手段。其原理是利用檢測(cè)等離子體中某種反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)或揮發(fā)性基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個(gè)能態(tài)時(shí)，伴隨著這一過(guò)程所發(fā)射出來(lái)的光線。

光線的強(qiáng)度變化可從反應(yīng)腔室側(cè)壁上的觀測(cè)孔進(jìn)行觀測(cè)。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長(zhǎng)各不相同，光線強(qiáng)度的變化反應(yīng)出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測(cè)的波長(zhǎng)可能會(huì)有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點(diǎn)時(shí)， 反應(yīng)物所發(fā)出的光線強(qiáng)度增加；另一種情形是光線強(qiáng)度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點(diǎn)法（IEP）是用激光光源檢測(cè)透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時(shí)，則意味著到達(dá)了刻蝕終點(diǎn)。其原理是當(dāng)激光垂直入射薄膜表面時(shí)，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。

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