同時(shí)，人們把另一類氣相沉積，即通過高溫加熱金屬或金屬化合物蒸發(fā)成氣相，或者通過電子、等離子體、光子等荷能粒子的能量把金屬或化合物靶濺射出相應(yīng)的原子、離子、分子(氣態(tài))，在固體表面上沉積成固相膜，其中不涉及到物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)(分解或化合)，稱為物理氣相沉積PVD)。

隨著氣相沉積技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，上述兩類型氣相沉積各自都有新的技術(shù)內(nèi)容，兩者相互交叉，你中有我，我中有你，致使難以嚴(yán)格分清是化學(xué)的還是物理的。

CVD法具有如下特點(diǎn)：可在大氣或低于大氣壓下進(jìn)行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復(fù)雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)較易準(zhǔn)確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結(jié)合力高，設(shè)備簡(jiǎn)單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會(huì)產(chǎn)生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現(xiàn)象，晶粒長(zhǎng)大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復(fù)合碳化物。

（4）處理后的母材必須進(jìn)行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點(diǎn)的金屬材料。

濺射是物理氣相沉積技術(shù)的另一種方式，有人要問了濺射工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？

濺射的過程是由離子轟擊靶材表面，使靶材材料被轟擊出來的技術(shù)。整個(gè)過程是在真空腔體中完成的。濺射開始時(shí)將氣充入真空腔體中形成低壓氣氛圍，再通過使用高電壓，產(chǎn)生輝光放電，加速離子到靶材表面。離子將靶材材料從表面轟擊（濺射）出來，在靶材前面的被涂層工件上沉積下來，這整個(gè)過程就好像是在打臺(tái)球。

有時(shí)將此方法用作預(yù)涂層，目的是提高基材的耐久性，減少摩擦并改善熱性能-這意味著人們可以在同一涂層中結(jié)合PVD和CVD層等沉積方法。

在數(shù)學(xué)建模和數(shù)值模擬方面也有大量研究有助于改善此過程，這可能是優(yōu)于其他過程的優(yōu)勢(shì)。這些研究對(duì)改善反應(yīng)堆的特性有很大的影響，從而導(dǎo)致未來的成本降低，以及對(duì)薄膜機(jī)械性能的改善。

由于磁控濺射技術(shù)的發(fā)展將集中在未來對(duì)這些特定反應(yīng)器的改進(jìn)上，因此這項(xiàng)工作已成為主要重點(diǎn)。