雖然他們的術語確實有所不同，但許多IC制造商要么調(diào)整現(xiàn)有的產(chǎn)品線，要么創(chuàng)造全新的產(chǎn)品來解決傳感器融合任務。該處理由專用控制器芯片完成，該芯片可以被識別為MCU，傳感器集線器或傳感器融合處理器。我們已經(jīng)看到這種技術應用于智能手機，活動監(jiān)視器和其他設備的消費市場。技術的融合幸運的是，正如他們在電子產(chǎn)品的其他領域所做的那樣，許多IC制造商已經(jīng)承擔了繁重工作的任務。借助現(xiàn)成的傳感器融合和傳感器集線器芯片，現(xiàn)在可以有效地連接各種數(shù)字傳感器以及其他路徑。創(chuàng)建自己的算法的負擔已經(jīng)消除。

電荷禍合器件CCD的基本原理是在一系列MOS電容器金屬電極上，加以適當?shù)拿}沖電壓，排斥掉半導體襯底內(nèi)的多數(shù)載流子，形成“勢阱”的運動，進而達到信號電荷(少數(shù)載流子)的轉(zhuǎn)移。如果所轉(zhuǎn)移的信號電荷是由光像照射產(chǎn)生的，則CCD具備圖像傳感器的功能;若所轉(zhuǎn)移的電荷通過外界注入方式得到的，則CCD還可以具備、信號處理、數(shù)據(jù)存儲以及邏輯運算等功能。

假設電荷存儲在電極①(加有10V電壓)下面的勢阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設Vth=2V。所以每個電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時，①、②兩個電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，(d)和(e)所示，這時電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時序的驅(qū)動脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時鐘驅(qū)動的CCD稱為3相CCD。