對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好?；衔锏臒岱€(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

電子四氟化碳是目前半導體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一，在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻，以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護航，保證四氟化碳（CF4）的純度和安全穩(wěn)定使用。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經精餾而得成品。由碳與氟反應，或與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，都能生成四氟化碳。

溫室氣體，其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。由于化學穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。