編輯：DD

由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管。

SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

ASEMI肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝介紹

　　肖特基對管又有共陰(兩管的負(fù)極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)三種管腳引出方式。ASEMI品牌肖特基二極管將這兩種封裝都統(tǒng)一使用的是行業(yè)認(rèn)可的TO-220封裝，而區(qū)別則是三只腳以CT來代表，兩只腳的以AC為代表。

　　采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

快恢復(fù)二極管MURF1060CT，ASEMI原裝進(jìn)口整流實(shí)力品牌，讓您不再為產(chǎn)品質(zhì)量差、上機(jī)炸毀的問題煩惱。現(xiàn)此時(shí)很多采購商因?yàn)樨潏D便宜而采購些不良產(chǎn)品導(dǎo)致上機(jī)問題煩惱很多，使機(jī)子停止運(yùn)行耽誤了生產(chǎn)產(chǎn)品的時(shí)間；俗話說時(shí)間就是金錢，因?yàn)樨潏D便宜反而使實(shí)際金額利潤損失了不少，這樣的話是得不償失。如果一開始采購質(zhì)量好的快恢復(fù)二極管，便不會產(chǎn)生那么多的問題和煩惱了，即使因?yàn)閮r(jià)格差的利潤沒賺更多，但反而使工程運(yùn)行更保障，客戶更加信賴，自己也不會徒添許多煩惱而耽誤了其他的事情，所以選擇一款好的元器件是十分重要的！