編輯：DD

ASEMI高壓SBD

長期以來，在輸出12V~24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中，只有選用200V~400V的FRED。設(shè)計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)

什么是肖特基二極管？有何特點意義？

SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。目前UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機與活力。

關(guān)于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號識別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號前面四個字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251

要想了解MUR2060CT與MUR2060CTR有何不同，首先要從二極管的原理定義開始說起。

二極管與快恢復二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理

二極管作為最常用的整流元器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理基礎(chǔ)就是只允許單方向電流通過并且進行整流，將交流電變?yōu)橹绷麟姟６诳旎謴投O管MUR2060CT和MUR2060CTR封裝內(nèi)部含有二個二極管，其橋式整流結(jié)構(gòu)也是由這兩個二極管組成的。