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ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

關(guān)于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號(hào)識(shí)別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號(hào)前面四個(gè)字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號(hào)后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251

MURF1060CT 強(qiáng)元芯ASEMI核芯動(dòng)力 快恢復(fù)實(shí)力彰顯！

采用了臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時(shí)檢測(cè)Vb、Io、If、Vf、Ir等12個(gè)參數(shù)經(jīng)過6道檢測(cè)。更是打破業(yè)界測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。

要想了解MUR2060CT與MUR2060CTR有何不同，首先要從二極管的原理定義開始說起。

二極管與快恢復(fù)二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理

二極管作為最常用的整流元器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理基礎(chǔ)就是只允許單方向電流通過并且進(jìn)行整流，將交流電變?yōu)橹绷麟?。而在快恢?fù)二極管MUR2060CT和MUR2060CTR封裝內(nèi)部含有二個(gè)二極管，其橋式整流結(jié)構(gòu)也是由這兩個(gè)二極管組成的。