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、開爐前要檢查好電氣設備、水冷卻系統、感應器銅管等是否完好,否則禁止開爐。
2、爐膛熔損超過規(guī)定應及時修補。嚴禁在熔損過深坩堝內進行熔煉。
3、送電和開爐應有專人負責,送電后嚴禁接觸感應器和電纜。當班者不得擅自離開崗位,要注意感應器和坩堝外部情況。
4、裝料時,應檢查爐料內有無等有害物品混入,如有應及時除去,嚴禁冷料和濕料直接加入鋼液中,熔化液充滿至上部后嚴禁大塊料加入,以防結蓋。
5、補爐和搗制坩堝時嚴禁鐵屑、氧化鐵混雜,搗制坩堝必須密實。
6、澆注場地及爐前地坑應無障礙物,無積水,以防鋼水落地。
7、鋼水不允許盛裝得過滿,手抬包澆注時,二人應配合一致,走路應平穩(wěn),不準急走急停,澆注后余鋼要倒入地點,嚴禁亂倒。
8、中頻發(fā)電機房內應保持清潔,嚴禁物品和其它雜物帶進室內,室內禁止吸煙。
退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以摻雜劑,將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復注入的損傷,移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐,超節(jié)能結構,采用纖維結構,節(jié)電60%。
TEED一2001K過熱警報溫控儀輸出信號控制PLC全部程序的運作,鉑電阻PT100檢測信號至警報溫控儀與過熱警報設定溫度值開展較為,當具體溫度值小于設定值時,輸出控制信號給PLC,PLC程序一切正常運作。當具體溫度值超出設定值時,輸出控制信號給PLC,PLC封閉式運作程序。故過熱警報的設定值一般要高過操作溫度的設定值。