KOAN 晶體濾波器(MCF)： 參數(shù)介紹：插入損耗和帶內(nèi)波動，帶內(nèi)相位線性度

插入損耗：由于濾波器的引入對電路中原有信號帶來的衰耗，以中心或截止頻率處損耗表征，信號源直接傳送給負(fù)載阻抗的功率（P0）和插入濾波器后傳送給負(fù)載阻抗的功率（P1）之比的對數(shù)值，常用分貝（dB）為單位進(jìn)行度量，表示為IL=10 lg （P0/ P1）。帶內(nèi)相位線性度：表征濾波器對通帶內(nèi)傳輸信號的相位失真度。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) ，EMI ： 和差分輸出晶振的共同目標(biāo)降低電磁干擾

電磁干擾被定義為當(dāng)一個設(shè)備的電磁場通過輻射和/或傳導(dǎo)路徑干擾,阻礙或降低另一個設(shè)備的電磁場時自然發(fā)生的現(xiàn)象.電磁干擾會導(dǎo)致兩個或多個電子設(shè)備相互干擾,并影響它們的性能和操作。電磁干擾是對頻率源輻射能量的測量,通常在給定頻率下以 dBmV/m(分貝-伏特每米)為單位進(jìn)行測量.輻射能量越大,該參數(shù)越大.因此,頻率源發(fā)射的能量越多,產(chǎn)生的電場和電磁干擾就越大.定義電磁干擾測量的頻譜時,需要區(qū)分峰值電磁輻射和平均電磁輻射.平均發(fā)射被定義為給定頻譜上的平均 dBmV/m 水平.峰值發(fā)射定義為給定頻譜內(nèi)任何頻率下的大dBmV/m 水平.

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晶體濾波器

晶體濾波器以高頻率穩(wěn)定度和頻率衰減特性陡峭震現(xiàn)在濾波技術(shù)中，晶體濾波器主要由特殊設(shè)計的石英諧振器構(gòu)成，天然石英晶體器少而昂貴，現(xiàn)代用水熱法培育人造石英晶體技術(shù)相當(dāng)成熟且能成批生產(chǎn)，如性能良好的壓電晶體有鈮酸鋰、鑰酸鋰等。石英晶體采用的石英片是按一定方位從晶體中切割而成，按切割方位角不同而分為AT、BT、CT、DT、ET、GT等不同切型。

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