反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧4化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

儲(chǔ)存注意事項(xiàng)：儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫(kù)房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫(kù)溫不宜超過(guò)30℃。應(yīng)與易（可）燃物、氧化劑分開存放，切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。四氟化碳作為制冷劑是一種無(wú)色不可燃?xì)怏w，能夠保障液體運(yùn)輸?shù)陌踩浴Ｔ谂R床醫(yī)學(xué)中，四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出，四氟化碳的應(yīng)用范圍廣泛，在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動(dòng)下，行業(yè)快速發(fā)展。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。