鋁酸鑭（LaAlO3）具有大的禁帶寬度(5-6eV),高的介電常數(shù)值(~25)和很好的熱穩(wěn)定性使其成為替代Si基jin屬-氧化物-半導體場效應晶體管中SiO2的zui佳替代材料。產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111>；晶向公差： /-0.5度；拋光情況：單拋或雙拋 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

鋁酸鑭(LaAlO3)晶體屬于六方晶系【空間群D3-R3m(166)】,其晶胞參數(shù)為:a=5365A,C=13.11A熔點:2080℃。它與YBCO等高溫超導材料的晶格匹配好,介電常數(shù)較低(c,=21)微波損耗小因而適于制作高溫超導微波電子器件(如遠程通訊中的高溫超導微波濾波器等)。因為LaAlO3單晶在微波渡段具有低的介電數(shù)和介電損耗,且對多種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料晶格匹配好,所以是外延生長高溫超導薄膜和巨磁阻薄膜的極1好襯底材料,長期以來是作為一種襯底材料進行研究。LaAlO3在常溫下結(jié)構(gòu)的空間群為R3c,晶格參數(shù)為a=0.5357nm和a=60°6′。

鋁酸鑭（LaAlO3）晶體在常溫下為三角晶系,其折射率橢球為旋轉(zhuǎn)橢球。

LaAlO3晶體的熔點高,生長大尺寸φ80的LaAlo3晶體溫度梯度一定要合適,既要保證晶體生長的驅(qū)動力,又要避免溫度梯度過大,導致銥坩堝熔化。LaAlO3單晶的應用,取決于大尺寸LaAlO3晶體生長。LaAlO3晶體因其與超導、鐵電、Mn氧化物巨磁電阻薄膜等有良好的晶格匹配性能,因而被廣泛地用作生長外延薄膜的襯底材料.

拋光情況：單拋或雙拋 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。鋁酸鑭（LaAlO3）晶體由于與超導、鐵電、錳氧化物巨磁電阻等材料具有良好的晶格匹配性能,且界面層中原子不易和其他材料發(fā)生界面反應而被廣泛地用作生長外延薄膜的襯底材料。

標準包裝：1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝。